Научная деятельность
→
Коррозия и электрохимия металлов
Научная деятельность
Коррозия и электрохимия металлов
Развитие теории участия компонентов раствора в процессах растворения металлов в активном состоянии.
Развитие теории активного растворения сплавов.
Разработка теоретических основ локальных коррозионных процессов (питтинговой, язвенной, межкристаллитной коррозии, структурно-избирательного растворения) металлов и сплавов. Исследование влияния примесных элементов (S, Mn, C, P, B, Si, N) и образуемых ими структурных неоднородностей (сегрегаций, вторичных фаз, неметаллических включений) в металлах и сплавах на их склонность к локальной коррозии.
Исследование особенностей коррозионных процессов металлоподобных соединений переходных металлов (карбидов, нитридов, интерметаллидов и др.) и композиционных материалов на их основе.
Разработка новых коррозионно стойких материалов.
Создание новых методов исследования процессов растворения и пассивации металлов, в том числе с привлечением физических методов.
Разработка ускоренных методов испытаний металлов и сплавов на стойкость против коррозии различных видов.
Разработка методов противокоррозионной защиты металлического оборудования и конструкций в ведущих отраслях промышленности (добыча и транспортировка нефти и газа, эксплуатация теплосетей и водопроводов, энергетика, и др.).
Разработки методик электрохимической сканирующей туннельной микроскопия
Применение метода:
Разработка методик электрохимической сканирующей туннельной микроскопии и сканирующей туннельной спектроскопии для комплексной диагностики структуры и энергетических нано - свойств поверхности металлов и сплавов в растворах электролитов.
Изучение локальных (на отдельных атомах) электрофизических свойств поверхности по вольтамперной зависимости туннельного тока от туннельного напряжения – I(U).
Аналитическая формула, адекватно описывающая It(Ut) – спектры:
It=b_Go_ [exp(a_Ut/b)- exp(-(1-a)_Ut/b)].
Распределение значений параметров a и b, рассчитанных из СТСН-измерений. Полигоны гистограмм параметров a и b несут количественную информацию о различии электрофизических свойств материалов и её дисперсии для отдельных атомов поверхности
Туннельно-активные центры, регистрируемые с помощью ЭСТМ
на наноучастках Pt на поверхности Ti